09 Giugno 2009

Memorie più veloci per effetto della magnetoresistenza colossale

Memorie più veloci per effetto della magnetoresistenza colossale

La magnetoresistenza gigante è un particolare effetto quantistico di tipo magnetoresistivo, che descrive la capacità di un corpo di variare la propria resistenza elettrica intrinseca quando è in presenza di campi magnetici esterni. Grazie a questo fenomeno è possibile salvare un'enorme quantità di dati in uno spazio di memoria ristretto: i comuni lettori MP3 tascabili e gli hard disk sfruttano proprio questo principio per effettuare lo storing dei dati.

Di recente, gli scienziati hanno notato un altro fenomeno, simile al precedente, ma potenzialmente migliore: la magnetoresistenza colossale (CMR), proprietà caratteristica di alcuni materiali, per lo più a base di manganese, permette loro di cambiare drasticamente la propria resistenza elettrica quando vengono immersi in un campo magnetico. Questa scoperta permetterebbe di aumentare di centinaia di volte la capacità delle attuali memorie; tuttavia, al momento, è abbastanza difficile riuscire a comprendere e a controllare questo effetto e le relazioni esistenti tra la conduttività elettrica e quella magnetica, a causa delle complesse interazioni presenti nel manganese.

I test effettuati per studiare questa nuova proprietà hanno comportato l'utilizzo di una tecnica avanzata nota col nome di XMCD, che si basa sulla differenza spettrale di due raggi X polarizzati in modo circolare posti in presenza di un campo magnetico.

 

Sebbene gli studi siano ancora in corso, i risultati iniziali hanno portato alla realizzazione di speciali memorie ad accesso casuale magnetoresistive denominate MRAM già presenti agli inizi degli anni novanta, ma di cui ancora si ignorano alcuni aspetti fisici del funzionamento; tali memorie potrebbero, in un futuro assai prossimo, portare alla realizzazione di computer istantanei, dotati, cioè, di tempi di accesso praticamente quasi nulli.